MOSFET: akce a rozsah zásady

Studium vlastností materiálu, jako jsou polovodiče, dovoleno, aby revoluční objevy. V průběhu času se technologií do komerčně vyrábět diody, MOS tranzistory, tyristory a další prvky. Oni úspěšně nahradil elektronky a dovolil realizovat nejsmělejší představy. Polovodičové součástky se používají ve všech oblastech našeho života. Pomáhají nám zpracovat obrovské množství informací na základě jejich počítače jsou vyráběny, magnetofony, televizory, atd

Vzhledem k tomu, podle vynálezu prvního tranzistoru, a to bylo v roce 1948, prošel dlouhou dobu. Tam byly variace tohoto prvku: bod germania, křemíku, unipolární tranzistor nebo MOSFET. Všechny z nich jsou široce používány v elektronických zařízeních. Studium vlastností polovodičů se nezastaví v naší době.

Tyto studie vedly ke vzniku takového zařízení jako MOSFET. Princip činnosti je založen na tom, že elektrické pole (proto další jméno - pole) se mění vodivost povrchu polovodičové vrstvy na hranici s dielektrikem. Tato vlastnost se používá v elektronických obvodech pro různé účely. MOS tranzistor má konstrukci, která umožňuje snížit odpor mezi mozků a zdroje pod vlivem řídicího signálu, v podstatě na nulu.

Jeho vlastnosti jsou odlišné od bipolární „konkurenta“. Jsou to oni, kdo určují její oblast působnosti.

• Vysoký výkon je dosaženo miniaturizaci krystalu samotný a jeho jedinečné vlastnosti. To je vzhledem k obtížím při průmyslové výrobě. V současné době, krystaly jsou vyráběny s 0,06 mikronu bránou.
• Malý přechod kapacita umožňuje těchto zařízení provozovat v vysokofrekvenčních obvodech. Například LSI s jejich použitím byl úspěšně použit v mobilní komunikaci.
• Téměř nulový odpor, který má MOSFET v otevřeném stavu, je možné jej použít jako elektronické klíče. Mohou pracovat v obvodech pro generování vysokofrekvenčních signálů nebo pro přemostění prvků, jako jsou operačních zesilovačů.
• Výkonné zařízení tohoto typu byly úspěšně použity ve výkonových modulů a mohou být zahrnuty do sacího obvodu. Dobrým příkladem jejich použití může mít měnič.

Při navrhování a práci s těmito prvky, je třeba vzít v úvahu některé funkce. MOSFETy jsou citlivé na přepětí a reverzní snadno selhat. Indukčnost obvody běžně používá vysokorychlostní Schottkyho diody pro vyhlazení puls reverzní napětí, ke které dochází při přepínání.

Perspektivy používání těchto zařízení jsou poměrně velké. Zlepšení technologie jejich výroby se na způsoby, jak snížit krystalů (měřítko závěrky). Postupně se zařízení, která jsou schopna zvládnout silnější motory.